北京2023年8月10日 /美通社/ -- 8月10日， 三星半導體在本次第五屆OCP China Day 2023（開放計算中國技術峰會）上分享了兩大應對內存墻限制的創新技術解決方案和開放協作的業務戰略。三星電子副總裁，半導體事業軟件開發團隊負責人張實完（Silwan Chang）發表了"擴大開放協作，迎接高效大數據時代"的主題演講。他表示："當前內存技術的發展正面臨內存墻限制的挑戰。我們的首要解決方案是引入主動存儲（Active Memory）建立全新內存層次結構，其次是發展以數據為中心的計算技術。"

三星半導體在峰會上介紹了面向人工智能和機器學習而研發的創新技術，能夠有效突破內存墻限制的存儲解決方案，例如面向高性能計算優化的高帶寬存儲"HBM3 Icebolt"，它能夠在處理器旁提供高速性能和大容量內存，具有高達819GB/s的性能和24GB的內存容量；以及可以增加內存容量，提高能效的內存解決方案"CXL存儲擴展器（CXL Memory Expander）"，和同樣基于CXL協議，能夠在內存和存儲之間高效遷移數據的"存儲器-語義固態硬盤（Memory-Semantic SSD）"。這些技術的發展為開發千兆級大容量存儲解決方案奠定了基礎。

去年，三星推出了全球其首款用于服務器PCIe 5.0的固態硬盤PM1743。該硬盤不僅將能效提高了一倍，還采用了自有的多租戶技術。峰會上，三星表示PM1743預計將在今年部署到需要超高性能的生成式人工智能應用中。

隨后，三星特別介紹了通過OCP首次在中國公開展示的超高性能PCIe 5.0數據中心專用SSD——PM9D3a。它采用了三星先進的控制器、軟件和系統技術，最大的優勢在于PM9D3a是一款能提供每TB 50KIOPS隨機寫入性能（最大8TB）的8通道產品。與上一代產品相比，隨機性能提高了1.8倍，能效提高了1.6倍。另外，PM9D3a能夠在高溫高濕環境下依舊保持可靠性，在多種數據中心環境中提供穩定的解決方案。PM9D3a還采用了SPDM（安全協議和數據模型）功能來保護設備上的信息，加強了保密性和完整性的認證。目前，PM9D3a已完成開發工作，預計于明年上半年將推出多種形態的產品以滿足客戶的需求。

同時，三星還分享了新的千兆級超高容量閃存解決方案"PBSSD"，它將三星最新的V-NAND技術與各種內存/存儲設備相結合，提供高性能、大容量和高能效的存儲，可以有效地幫助數據中心存儲資源，降本增效。

三星半導體表示，通過千兆級閃存解決方案（PBSSD），和存儲擴展器等主動存儲解決方案，系統性能可以獲得有效提升。

為克服技術挑戰，三星半導體相信開放創新是其有效的方法之一。為此，三星將在存儲器研究中心（SMRC）內建立OCP體驗中心。作為與合作伙伴、OCP成員和學術界利益相關者合作共創的平臺，成員們可以在體驗中心共同解決技術難題并進一步推動開源開發，實現更多技術創新。

實際上，"內存墻"并不是三星面臨的唯一挑戰，以更快的速度處理數據需要大量的功耗，這將不可避免地導致大量碳排放。為實現2050年碳中和的目標，三星開發并應用了生命周期評估（LCA）流程來計算和檢測所有產品的碳排放量，以減少產品生命周期和半導體供應鏈中對環境的影響。三星還加入IMEC的可持續半導體技術和系統（SSTS）計劃，通過合作創建一個可持續的半導體生態系統和開發計算碳排放技術，實現保護環境和可持續發展的最終目標。

最后，三星電子副總裁張實完（Silwan Chang）表示，"作為致力于內存技術發展的公司，我們將繼續在中國市場推動OCP開放式創新。這將成為推動技術發展、突破內存墻等限制的重要動力。通過開放合作，我們將攜手到達新的高度。"